MOSFET NPN Chip CI SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G del transistor
MOSFET NPN Chip CI del transistor
,Chip CI SOT-23 del transistor
,LP2301BLT1G
Nuevo transistor original PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G del MOSFET NPN
Productos Descripción:
Diodos y rectificadores de 1.MOS (transistor de efecto de campo) /LP2301BLT1G
material 2.the de los requisitos del withRoHS de la conformidad del producto y halógeno libre
3.S- prefijo para los requisitos automotrices y otros del cambio del sitio y de control del requiringunique de los usos; AEC-Q101qualified y PPAP capaces
4.RDS (ENCENDIDO), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ
5.RDS (ENCENDIDO), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ
gestión 6.Power en el interruptor con pilas DSC de la carga de sistema del equipo portátil del cuaderno
GRADOS MÁXIMOS (TA = 25ºC)
Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad |
Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | -20 | V |
Voltaje de la Puerta-a-fuente – continuo | VGS | ±8 | V |
Drene actual (la nota 1) – Continuo TA = 25°C – Pulsado |
Identificación IDM |
-2 -10 |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad |
Disipación de poder máxima | Paladio | 0,7 | W |
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1) |
RΘJA | 175 | C/W |
Temperatura del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | −55∼+150 | C |
Parámetros tecnológicos:
resistencia de la Dren-fuente | 0,1 Ω |
Polaridad | P |
Voltaje del umbral | 0,4 V |
voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 20 V |
Corriente continua del dren (Ids) | 2.8A |
Paquete | SOT-23-3 |
Paquete mínimo | 3000 |
Estándar de RoHS | RoHS obediente |
estándar de la ventaja | Sin plomo |
número pin | 6 |