MOSFET NPN Chip CI SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G del transistor
Categoría:
Chip CI del transistor
Price:
discussible
Forma de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
resistencia de la Dren-fuente:
0,1 Ω
polaridad:
P
voltaje del umbral:
0,4 V
Paquete:
SOT-23-3
Paquete mínimo:
3000
Estándar de RoHS:
RoHS obediente
Estándar de la ventaja:
Sin plomo
Resaltar:
MOSFET NPN Chip CI del transistor
,Chip CI SOT-23 del transistor
,LP2301BLT1G
Introducción
Nuevo transistor original PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G del MOSFET NPN
Productos Descripción:
Diodos y rectificadores de 1.MOS (transistor de efecto de campo) /LP2301BLT1G
material 2.the de los requisitos del withRoHS de la conformidad del producto y halógeno libre
3.S- prefijo para los requisitos automotrices y otros del cambio del sitio y de control del requiringunique de los usos; AEC-Q101qualified y PPAP capaces
4.RDS (ENCENDIDO), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ
5.RDS (ENCENDIDO), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ
gestión 6.Power en el interruptor con pilas DSC de la carga de sistema del equipo portátil del cuaderno
GRADOS MÁXIMOS (TA = 25ºC)
| Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | -20 | V |
| Voltaje de la Puerta-a-fuente – continuo | VGS | ±8 | V |
| Drene actual (la nota 1) – Continuo TA = 25°C – Pulsado |
Identificación IDM |
-2 -10 |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
| Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 0,7 | W |
| Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1) |
RΘJA | 175 | C/W |
| Temperatura del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | −55∼+150 | C |
Parámetros tecnológicos:
| resistencia de la Dren-fuente | 0,1 Ω |
| Polaridad | P |
| Voltaje del umbral | 0,4 V |
| voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 20 V |
| Corriente continua del dren (Ids) | 2.8A |
| Paquete | SOT-23-3 |
| Paquete mínimo | 3000 |
| Estándar de RoHS | RoHS obediente |
| estándar de la ventaja | Sin plomo |
| número pin | 6 |
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Las existencias:
Cuota de producción:
discussible