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MOSFET NPN Chip CI SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G del transistor

Categoría:
Chip CI del transistor
Price:
discussible
Forma de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
resistencia de la Dren-fuente:
0,1 Ω
polaridad:
P
voltaje del umbral:
0,4 V
Paquete:
SOT-23-3
Paquete mínimo:
3000
Estándar de RoHS:
RoHS obediente
Estándar de la ventaja:
Sin plomo
Resaltar:

MOSFET NPN Chip CI del transistor

,

Chip CI SOT-23 del transistor

,

LP2301BLT1G

Introducción

Nuevo transistor original PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G del MOSFET NPN

Productos Descripción:

Diodos y rectificadores de 1.MOS (transistor de efecto de campo) /LP2301BLT1G

material 2.the de los requisitos del withRoHS de la conformidad del producto y halógeno libre

3.S- prefijo para los requisitos automotrices y otros del cambio del sitio y de control del requiringunique de los usos; AEC-Q101qualified y PPAP capaces

4.RDS (ENCENDIDO), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ

5.RDS (ENCENDIDO), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ

gestión 6.Power en el interruptor con pilas DSC de la carga de sistema del equipo portátil del cuaderno

GRADOS MÁXIMOS (TA = 25ºC)

Parámetro Símbolo Límites Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDSS -20 V
Voltaje de la Puerta-a-fuente – continuo VGS ±8 V
Drene actual (la nota 1)
– Continuo TA = 25°C
– Pulsado

Identificación

IDM

-2

-10

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Parámetro Símbolo Límites Unidad
Disipación de poder máxima Paladio 0,7 W
Resistencia termal,
Empalme-a-ambiente (nota 1)
RΘJA 175 C/W
Temperatura del empalme y de almacenamiento TJ, Tstg −55∼+150 C

Parámetros tecnológicos:

resistencia de la Dren-fuente 0,1 Ω
Polaridad P
Voltaje del umbral 0,4 V
voltaje de la Dren-fuente (Vds) 20 V
Corriente continua del dren (Ids) 2.8A
Paquete SOT-23-3
Paquete mínimo 3000
Estándar de RoHS RoHS obediente
estándar de la ventaja Sin plomo
número pin 6

 

 

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Las existencias:
Cuota de producción:
discussible