NX7002AK, 215 1 Mosfet 60V 190mA solos SMD/SMT del foso del canal N
Categoría:
Módulo del circuito integrado
Price:
discussible
Forma de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Drene la resistencia de la fuente:
3 Ω
Poder disipado:
0,325 W
Modo de la instalación:
Soporte superficial
Número pin:
3
encapsulación:
SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Método de embalaje:
Cinta y carrete (TR)
Resaltar:
NX7002AK 215
,Mosfet del foso del canal N
Introducción
NX7002AK, MOSFET 60V 190mA solo SMD/SMT del foso del canal N 215 SOT-23-3 1
Productos Descripción:
El NX7002AK es un transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N (FET) en un paquete plástico montado superficial del dispositivo (SMD) usando tecnología del MOSFET del foso.
Transferencia rápida misma
Protección del ESD para arriba a 1.5kV
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R del transporte
Línea de alta velocidad circuitos que cambian del conductor de la retransmisión del loadswitch del Bajo-lado del conductor
Parámetros tecnológicos:
| resistencia de la Dren-fuente | 3 Ω |
| Poder disipado | 0,325 W |
| voltaje del umbral | 1,6 V |
| capacitancia de la entrada | 15 PF |
| Voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 60 V |
| Capacitancia entrada (CISS) | 17pF @10V (Vds) |
| Poder clasificado (máximo) | 265 mW |
| Poder disipado (máximo) | 265mW (TA), 1.33W (Tc) |
| Método de la instalación | Soporte superficial |
| Número de pernos | 3 |
| paquete | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Embalaje | Cinta y carrete (TR) |
| Usos de fabricación | Audio, gestión del poder |
| Estándar de RoHS | RoHS obediente |
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Las existencias:
Cuota de producción:
discussible