Chips CI electrónicos 3 Pin Surface Mount Installation BSS123 SA SOT23
Pin electrónico de los chips CI 3
,Chips CI electrónicos SOT23
,Chips CI electrónicos
Nuevo chip CI original del circuito integrado Bss123 Sa Sot23
Productos Descripción:
MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 del canal N BSS123 que marca la transferencia del SA/el nivel rápidos de la lógica compatibles
Voltaje máximo de la Dren-fuente de Vds del voltaje del Fuente-dren| 100V ---|--- Voltaje máximo de la Puerta-fuente de Vgs del voltaje de la Puerta-fuente (±)| la identificación actual del dren máximo 100V drena actual| Fuente-dren 170mA/0.17A en-resistanceΩRds DΩ el En-estado Ω/Ohmesistance de /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, voltaje de abertura del umbral de la Puerta-fuente de Vgs del voltaje 10V (th)| disipación de poder del paladio 0.8-1.2V| descripción 360mW/0.36W y usos| Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal N BSS100: 0.22A, 100V. RDS (ENCENDIDO) = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS (ENCENDIDO) = 6W @ diseño de alta densidad de la célula VGS = 10V para extremadamente - interruptor controlado de la señal del voltaje bajo del RDS (EN) el pequeño. Rugoso y confiable. Descripción y uso | Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal N BSS100: 0.22A, 100V. RDS (ENCENDIDO) = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. La batería de alta densidad del RDS (EN) =6W@ VGS= 10V se diseña con extremadamente - voltaje bajo del RDS (ENCENDIDO) para controlar el pequeño interruptor de la señal.
Parámetros tecnológicos:
| Capacitancia entrada (CISS) | 73pF @25V (Vds) |
| resistencia de la Dren-fuente | 1,2 Ω |
| Poder disipado | 360 mW |
| voltaje del umbral | 1,7 V |
| Voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 100 V |
| Método de la instalación | Soporte superficial |
| número pin | 3 |
| paquete | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ ~ 150℃ |
| Embalaje | Cinta y carrete (TR) |