Canal N de la electrónica SOT-23-3 2N7002K del circuito integrado de SMD solo
Electrónica del circuito integrado de SMD
,Electrónica SOT-23-3 del circuito integrado
,2N7002K
Servicio 2N7002K del proveedor de la electrónica del circuito integrado nuevo y original en existencia de Bom
Productos Descripción:
Pequeño MOSFET 60 V, 380 mA, solo canal N, pequeño MOSFET 60 V, 380 mA, de solo, N−Channel, SOT−23 de la señal de la señal del BORRACHÍN -23
MOSFET del canal N del modo del aumento, semiconductor de Fairchild
Los transistores de efecto de campo del modo del aumento (FETs) se producen usando tecnología patentada de la densidad de la célula de Fairchild la alta DMOS. Este proceso de alta densidad se diseña para minimizar resistencia del en-estado, proporcionando funcionamiento robusto y confiable y la transferencia rápida.
MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte
Transistor del MOSFET, canal N, 300 mA, 60 V, 2 ohmios, 10 V, 2,5 V
Las tensiones que exceden los grados máximos absolutos pueden dañar el dispositivo. El dispositivo puede no funcionar o ser operable sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas y subrayar las piezas a estos niveles no se recomienda. En la adición, la exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo. Los grados máximos de Theabsolute son grados de la tensión solamente. Los valores están en TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
Parámetros tecnológicos:
| resistencia de la Dren-fuente | 2 Ω |
| Voltaje de la Dren-fuente (Vds) | 60 V |
| Corriente continua del dren (Ids) | 0.38A |
| Capacitancia entrada (CISS) | 50pF @25V (Vds) |
| Poder clasificado (máximo) | 350 mW |
| Temperatura de funcionamiento | 55℃ ~ 150℃ |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
| Paquete mínimo | 3000 |
| Usos de fabricación | Interruptor lateral bajo de la carga |
| Estándar de RoHS | RoHS obediente |