Paladio 1.3W del Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Categoría:
Módulo del circuito integrado
Price:
discussible
Forma de pago:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Poder clasificado:
1,3 W
resistencia de la Dren-fuente:
0,05 Ω
polaridad:
P-canal
Poder disipado:
1,3 W
voltaje del umbral:
550 milivoltio
Capacitancia entrada:
830 PF
Número pin:
3
Resaltar:
Mosfet SOT23 del canal N
,Mosfet SOT23 de P
,IRLML6401TRPBF
Introducción
MOSFET NUEVO Y ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Productos Descripción:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (ENCENDIDO) 0.05Ohm; Identificación -4.3A; Micro3; Paladio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin T/R micro del transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nivel de la lógica; -12V; -4.3A; 1.3W
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas advancedprocessing para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el devicedesign construido sólidamente que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido para, provee del thedesigner un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión del andload de la batería. Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha incorporado en el paquete del thestandard SOT-23 para producir un MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de los theindustry. Este paquete, doblado el Micro3™, es forapplications ideales donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil bajo (<1>
Parámetros tecnológicos:
| Voltaje del umbral | 550 milivoltio |
| capacitancia de la entrada | 830 PF |
| Poder clasificado | 1,3 W |
| polaridad | P-canal |
| Método de la instalación | Soporte superficial |
| número pin | 3 |
| paquete | SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
| Usos de fabricación | Interruptores de DC |
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Las existencias:
Cuota de producción:
discussible